realme发布125W智慧闪充技术

7月16日，全球成长最快的智能手机品牌realme正式发布125W智慧闪充技术。

凭借125W智慧闪充，4000mAh的5G智能手机在3分钟之内即可充入1/3的电量，可以支持5G智能手机数小时的正常使用，而完整的充电时间仅需20分钟。125W智慧闪充全程采用极严格的温控标准，并通过创新的结构设计和复合的散热材料，避免产生单一热源并可快速导出热量，全程平均闪充温度不超过40摄氏度。在不严格控制温度的情况下，最快只需13分钟即可完成充电。

同时，125W智慧闪充继承realme的闪充基因，首次采用全新的并联三电荷泵快充技术，三管齐下，分散降压，最大化提升充电效率，实现98%的超高转化。同时，125W智慧闪充搭载行业首发的双6C高倍率电芯，并通过全新的多极耳电池结构，有效降低了电芯的阻抗和发热，提高了大功率充电的安全性。

realme的125W智慧闪充不仅兼容realme已发布的所有闪充协议，同时支持最高65W的PD协议以及36W的QC协议，一个适配器即可满足多设备的快充需求，进一步提高用户的充电体验。

此外，realme还发布了全新的SuperDart超轻薄充电器，有50W与65W两个版本，支持多种行业通用协议。

而在即将到来的8月，realme还将带来全新系列的5G闪充手机，拭目以待吧。

AMD Zen3单线程性能曝光

关于今年的Zen3，来自AdoredTV的最新爆料称，Zen3架构着眼于整数性能，IPC增幅在10~15%左右。在某些负载下，Zen3处理器可以提供20%的整数性能增幅，这意味着Zen3不仅频率高、而且IPC也很可观。

爆料还称，Milan(第三代EPYC)单线程性能增幅超过了20%，32核整数性能大约增加了20%，64核整数性能大约提升了15%。

显然有了统一L3缓存体系、更高的时钟频率以及更优的整数性能，AMD Zen3锐龙处理器的游戏性能预计也有着改变有些规则的实力。

外界认为，Zen2是AMD处理器的转折点，Zen3则可能是AMD夺取处理器市场领导地位的关键机会，它要面对的是Intel移动平台。

高通骁龙875G/735G首曝

7月16日消息，手机晶片达人分享了一份投行报告，这份报告曝光了高通未来的芯片产品规划。

曝光的图片显示，高通将在2020年Q4商用骁龙662和骁龙460,2021年Q1商用骁龙875G和骁龙435G，2021年Q1到Q2之间商用骁龙735G。

其中骁龙875G是高通2021年主打的旗舰平台，骁龙735G是高通2021年的中端平台，二者都是三星5nm EUV工艺制程。据报道，三星5nm EUV工艺性能提升10%，功耗降低20%。

至于骁龙875G，此前有消息称高通会采用Cortex X1超大核心+Cortex A78大核心的组合。

报道称高通自骁龙855开始就已经在旗舰平台上引入1+3+4三丛集架构，随着ARM Cortex A78和Cortex X1核心架构的登场，高通骁龙875G有可能会引入真正的超大核组合架构，也就是Cortex X1+Cortex A78。

ARM表示，Cortex X1核心架构将提供比Cortex-A77高30%的最大效能，也较同时发表的Cortex-A78核心最大效能高23%，机器学习能力是Cortex-A78的两倍。

一旦高通骁龙875G使用Cortex X1+Cortex A78的组合，它将会打破安卓阵营中处理器的性能纪录。而且骁龙875G不再采外挂基带的方式，而是真正将基带芯片集成，其整体性能更令人期待。

Intel 12代酷睿冲上16核心

在手机SoC处理器上，大小核、大中小核的配置已经稀松平常，Intel则正在把这种理念引入到桌面和笔记本领域，一大四小五核心的Lakefield只是个尝试，预计后年面世的Alder Lake 12代酷睿将彻底发扬光大。当然，Intel不会称之为big.LITTLE，而是叫做“混合技术”(Hybrid Technology)，会同时结合各种新的平面、立体封装技术。

此前已有消息显示，Alder Lake-S系列将有两种组合，一是8+8+1，也就是8个大核心、8个小核心、GT1核显，热设计功耗125W(正研究是否做到150W)或者80W，二是6+0+1，也就是6个大核心、没有小核心、GT1核显，热设计功耗80W，都是新的LGA1700封装接口。

现在，新的曝料来了，除了确认Alder Lake-S系列8+8+1、6+0+1的组合，还有两类：

Alder Lake-P：2+8+2、6+8+2

Alder Lake-M：2+8+2

目前还不清楚这两个系列也是桌面版，还是移动版或者其他，但很显然，统一都是8个小核心、GT2核显，只是大核心规模不同。

当然，这可能还不是Alder Lake的全部组合，不排除其他规格。

有趣的是，传闻还称Alder Lake不但会有大小两种CPU核心，还会有两种工艺，其中CPU部分是10nm，GPU部分则是14nm。

小米百瓦快充旗舰曝光

7月16日消息，型号为M2007J1SC的小米新机获得3C认证，其配备的充电器型号为MDY-12-ED，该充电器的输出功率最高达到了120W，目前尚不确定这款小米手机是支持100W快充还是120W快充。

值得注意的是，XDA在MIUI 12代码中发现了该机的踪迹，其代号为“CAS”。MIUI 12中的代码表明小米CAS的处理器为高通骁龙865，主摄为4800万像素。

XDA指出，小米CAS原计划使用的是108MP，近期工程师对MIUI代码进行修改，表明其主摄为4800万像素，而且它有望配备长焦镜头和超广角镜头，也就意味着小米CAS至少是三摄系统，有可能是四摄甚至五摄，支持月亮模式。

此外，XDA称小米CAS可能是国行特供版，仅在中国大陆发售，目前尚不确定其具体命名。该机最快会在8月份亮相。

台积电宣布3nm工艺2021年风险量产

两年前，台积电量产了7nm工艺，今年要量产5nm工艺了，已经被华为、苹果抢先预定了大部分产能，现在3nm工艺也定了，官方宣布2021年风险量产，2020年下半年正式量产。

此外，台积电还透露了3nm工艺的技术指标，相比今年的5nm工艺，3nm工艺的晶体管密度提升15%，性能提升10-15%，能效提升20-25%。

之前传闻台积电在3nm节点会放弃FinFET晶体管工艺转向GAA环绕栅极晶体管，不过最新消息称台积电研发成功2nm工艺，使用的是GAA晶体管技术，这意味着台积电3nm节点还会采用传统的FinFET工艺。

据外媒报道，台积电将如期推出iPhone和iPad的苹果A16芯片，该芯片将采用台积电的3nm工艺，并于2022年上市。

关键词： 高通 AMD Zen3